Tài liệu Thư viện số
- Kế toán (747)
- Quản trị kinh doanh (619)
- CN KT Điện, Điện tử và Viễn thông (770)
- Quản lý công nghiệp (36)
- Kỹ thuật Điện - Điện tử (251)
- Tài liệu tham khảo khác (147)
Danh mục TaiLieu.VN
- Mẫu Slide Powerpoint
- Luận Văn - Báo Cáo (346704)
- Kinh Doanh Marketing (67778)
- Kinh Tế - Quản Lý (50036)
- Tài Chính - Ngân Hàng (57809)
- Công Nghệ Thông Tin (143292)
- Tiếng Anh - Ngoại Ngữ (47261)
- Kỹ Thuật - Công Nghệ (137309)
- Khoa Học Tự Nhiên (110530)
- Khoa Học Xã Hội (85272)
- Văn Hoá - Nghệ Thuật (54491)
- Y Tế - Sức Khoẻ (177214)
- Nông - Lâm - Ngư (63475)
- Kỹ Năng Mềm (29084)
- Biểu Mẫu - Văn Bản (27862)
- Giải Trí - Thư Giãn (52535)
- Văn Bản Luật (199483)
- Tài Liệu Phổ Thông (409665)
- Trắc Nghiệm Online (213578)
- Trắc Nghiệm MBTI
- Trắc Nghiệm Holland
Thiết kế và mô phỏng mạch tạo xung siêu hẹp sử dụng Step Recovery Diode và diode Schottky
Bài viết trình bày thiết kế và mô phỏng mạch tạo xung siêu hẹp sử dụng Step Recovery Diode và diode Schottky cho các ứng dụng như radar băng siêu rộng và thông tin vô tuyến tốc độ cao. Mạch được thiết kế với chi phí thấp, sử dụng các linh kiện phổ biến trên thị trường.
Từ khóa: Đi-ốt phục hồi bước, Đi-ốt Schottky, Xung siêu hẹp, Xung ra-đa, Băng siêu rộng
8 p tailieu_hepc 21/03/2025 6 0
Phát triển bởi Thư viện số
